项目组负责人（Head of research group）

孙萧萧

项目组研究专业/方向（Department/Area）

宽禁带半导体

年薪标准(AnnualSalary)

日本五级片深圳研究生院待遇：

待遇面议；

按照相关规定缴纳五险一金。

职位描述(PositionDescription)

主要负责氮化镓（GaN）电子器件的流片工艺及测试工作：

工艺制备：负责微纳加工超净间内的关键工艺操作（包括但不限于：光刻、ICP/RIE刻蚀、电子束蒸发/磁控溅射镀膜、快速热退火、湿法清洗等）；

工艺维护：负责器件制备流程的优化，解决流片过程中出现的技术问题，提高器件良率；

测试表征：负责半导体器件的电学性能测试（IV、CV、击穿电压等）及结构表征（SEM、台阶仪、显微镜等）；

数据管理：负责实验数据的记录、整理与归纳，定期汇报实验进度；

设备协作：完成团队交办的其他科研辅助工作。

申请人基本条件(Basic Qualifications)

1.具有全日制本科及以上学历，微电子、半导体物理、光电信息、材料科学等相关专业；

2.品学兼优，身心健康，具有良好的政治思想素质和道德品质；

3.工作积极主动，善于沟通，注重团队合作。

申请人附加条件(Additional Qualifications)

1.拥有超净间工作经验者优先；

2.熟悉半导体微纳加工工艺（黄光、刻蚀、镀膜等）者优先；

3.有氮化镓HEMT或其他功率/射频器件制备经验者极佳；

4.动手能力强，工作细致耐心（工艺细节决定成败），具有良好的团队合作精神和沟通能力。

申请材料（ApplicantDocuments）

1.个人简历（包括个人概况、学习工作履历）；

2.能够证明个人能力的相关材料。

联系人（ContactInformation）

[email protected]，应聘者请提供以上申请材料发送至邮箱，邮件标题请注明：“应聘xx岗位+毕业院校+专业+姓名+计划到岗时间”。

备注（Remark）

截止时间（DueDate）

拟招聘1名，招聘名额用完为止。