课题组负责人（Head of   research group）

陆磊   助理教授/博士生导师

课题组研究专业/方向（Department/Area）

薄膜晶体管器件与先进显示/柔性电子器件/三维集成

年薪标准（Annual     Salary）

聘期待遇（30万/年起：含深圳市政府18万补助，优秀候选人薪资可面谈）

1. 基本工资：参照日本五级片博士后工作待遇（税前12万/年）。

2. 绩效奖励：根据个人表现酌情发放，上不封顶。

3. 政府补助：以政府发布政策为准，目前标准如下，

（1）生活补助:享有深圳市在站博士后生活补助18万元/年。

（2）后续资助:以深圳市发布政策为准。

4. 博士后人员进站，可自愿选择落户深圳市。选择落户深圳市的，其配偶及未成年子女可办理随迁入户。博士后子女入托、入学等按深圳市相关条例执行。

职位描述（Position     Description）

1. 氧化物半导体薄膜器件（TFT、光电探测器等）研究；

2. 柔性氧化物TFT集成电路应用；

3. 纳米尺度氧化物TFT及三维集成电路应用。

申请人基本条件

（Basic   Qualifications）

1. 申请者获得博士学位不超过3年或即将取得博士学位，年龄35周岁以下；

2. 具有半导体材料和器件或的专业基础；

3. 半导体材料、薄膜器件、传感器、柔性电子等方向有过研究经验；

4. 具有熟练采用英语写作学术论文的能力；

5. 具有较强独立分析问题和解决问题的能力，具有团队工作精神与项目组织能力。

申请人附加条件

(Additional   Qualifications)

无

申请材料

（Applicant     Documents）

1.个人简历（包括个人概况、学习科研经历、科研兴趣）；

2.论文目录、代表性论文、博士论文、获奖证书等复印件；

3.学历、学位证书复印件（或答辩通知）；  

4.拟选课题研究计划书（可在达成意向之后补充）。

联系人（Contact     Information）

王老师   [email protected]

应聘者请提供以上申请材料发送至邮箱，邮件标题请注明：“姓名+应聘博士后”。

备注（Remark）

准备10分钟PPT，用于面试时介绍个人情况及工作规划。

截止时间（Due     Date）

2024年12月31日或2个招聘名额用完为止。